APT65GP60B2G
요청 가격 및 리드 타임
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견적 요청
제품 매개 변수
- 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
- 600V
- VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
- 2.7V @ 15V, 65A
- 시험 조건
- 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
- Td (온 / 오프) @ 25 ° C
- 30ns/91ns
- 에너지 전환
- 605µJ (on), 896µJ (off)
- 연속
- POWER MOS 7®
- 전력 - 최대
- 833W
- 포장
- Tube
- 패키지 / 케이스
- TO-247-3 Variant
- 작동 온도
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Through Hole
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부
- Lead free / RoHS Compliant
- 입력 유형
- Standard
- IGBT 유형
- PT
- 게이트 충전
- 210nC
- 상세 설명
- IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
- 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
- 250A
- 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
- 100A
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