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Microsemi

APT70SM70S

Microsemi
POWER MOSFET - SIC
무연 / RoHS 준수

요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대)
2.5V @ 1mA
Vgs (최대)
+25V, -10V
과학 기술
SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지
D3Pak
연속
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
70 mOhm @ 32.5A, 20V
전력 소비 (최대)
220W (Tc)
포장
Bulk
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
125nC @ 20V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
700V
상세 설명
N-Channel 700V 65A (Tc) 220W (Tc) Surface Mount D3Pak
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
65A (Tc)

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