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STP180N4F6
STMicroelectronics

STP180N4F6

STMicroelectronics

    요청 가격 및 리드 타임

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    견적 요청

    • 부품 번호:
    • 수량:
    • 목표 가격:(USD)
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    • 이메일:
    • 너의 전화:
    • 메모/주석:

    제품 매개 변수

    아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
    Vgs (최대)
    -
    과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
    제조업체 장치 패키지
    TO-220
    연속
    STripFET™ F6
    이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    -
    전력 소비 (최대)
    190W (Tc)
    포장
    Tube
    패키지 / 케이스
    TO-220-3
    작동 온도
    -
    실장 형
    Through Hole
    수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
    제조업체 표준 리드 타임
    38 Weeks
    무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
    FET 유형
    N-Channel
    FET 특징
    -
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
    소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
    상세 설명
    N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    120A (Tc)

    유사 제품