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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-rf > MRF5812
Microsemi

MRF5812

Microsemi
TRANS NPN 15V 200MA SO8
무연 / RoHS 준수

요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
15V
트랜지스터 유형
NPN
제조업체 장치 패키지
8-SOIC
연속
-
전력 - 최대
1.25W
포장
Bulk
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도
-
잡음 지수 (f에서 dB Typ)
2dB ~ 3dB @ 500MHz
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
이득
13dB ~ 15.5dB
주파수 - 전환
5GHz
상세 설명
RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SOIC
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
50 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
200mA

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