STD155N3LH6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
무연 / RoHS 준수
요청 가격 및 리드 타임
STD155N3LH6 are available, 우리는 STD155N3LH6를 제공 할 수 있습니다, 요청 견적 양식을 사용하여 STD155N3LH6 pirce 및 리드 타임을 요청합니다.Atosn.com는 전문 전자 부품 유통 업체입니다. 우리는 큰 재고를 보유하고 있으며 빠른 배송이 가능합니다. 오늘 저희에게 연락하면 영업 담당자가 부품 번호 STD155N3LH6에 가격과 선적 세부 정보를 제공합니다. 귀하의 국가와 일치하는 통관 문제를 포함, 우리는 전문 영업 팀이 있습니다및 기술 팀, 우리는 당신과 함께 일하기를 기대합니다.
견적 요청
제품 매개 변수
- 아이디 @ VGS (일) (최대)
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (최대)
- ±20V
- 과학 기술
- MOSFET (Metal Oxide)
- 제조업체 장치 패키지
- D2PAK
- 연속
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
- 3 mOhm @ 40A, 10V
- 전력 소비 (최대)
- 110W (Tc)
- 포장
- Cut Tape (CT)
- 패키지 / 케이스
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 다른 이름들
- 497-11308-1
- 작동 온도
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부
- Lead free / RoHS Compliant
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
- 3800pF @ 25V
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 80nC @ 5V
- FET 유형
- N-Channel
- FET 특징
- -
- 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
- 5V, 10V
- 소스 전압에 드레인 (Vdss)
- 30V
- 상세 설명
- N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
- 80A (Tc)
유사 제품
- STMicroelectronics STD155N3LH6
- STD155N3LH6 데이터 시트
- STD155N3LH6 데이터 시트
- STD155N3LH6 PDF 데이터 시트
- STD155N3LH6 데이터 시트 다운로드
- STD155N3LH6 이미지
- STD155N3LH6 부분
- ST STD155N3LH6
- STMicroelectronics STD155N3LH6