CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
납 함유 / RoHS 준수
요청 가격 및 리드 타임
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견적 요청
제품 매개 변수
- 아이디 @ VGS (일) (최대)
- 1.3V @ 250µA
- 제조업체 장치 패키지
- 8-VSON (3.3x3.3)
- 연속
- NexFET™
- 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
- 33 mOhm @ 7A , 8V
- 전력 - 최대
- 2.5W
- 포장
- Cut Tape (CT)
- 패키지 / 케이스
- 8-PowerTDFN
- 다른 이름들
- 296-35526-1
- 작동 온도
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 제조업체 표준 리드 타임
- 35 Weeks
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부
- Contains lead / RoHS Compliant
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
- 1250pF @ 15V
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 8.2nC @ 4.5V
- FET 유형
- 2 N-Channel (Dual) Common Source
- FET 특징
- Logic Level Gate
- 소스 전압에 드레인 (Vdss)
- 30V
- 상세 설명
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
- 27A
- 기본 부품 번호
- CSD87312
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