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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > BD179
BD179
STMicroelectronics

BD179

STMicroelectronics
TRANS NPN 80V 3A SOT-32
무연 / RoHS 준수

요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
3A
전압 - 파괴
SOT-32
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
80V
연속
-
RoHS 상태
Tube
저항기 -베이스 (R1) (옴)
-
전력 - 최대
30W
편광
TO-225AA, TO-126-3
다른 이름들
BD179ST
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호
BD179
주파수 - 전환
15 @ 2V, 1A
확장 설명
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 30W Through Hole SOT-32
기술
TRANS NPN 80V 3A SOT-32
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
100µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
800mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
NPN

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