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요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대)
1.1V @ 250µA
Vgs (최대)
8V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
3-PICOSTAR
연속
FemtoFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
180 mOhm @ 500mA, 4.5V
전력 소비 (최대)
500mW (Ta)
포장
Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스
3-XFDFN
다른 이름들
296-37779-1
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임
35 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
200pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
12V
상세 설명
N-Channel 12V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.1A (Ta)
기본 부품 번호
CSD13381

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