BDV65B
요청 가격 및 리드 타임
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견적 요청
제품 매개 변수
- 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
- 100V
- IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
- 2V @ 20mA, 5A
- 트랜지스터 유형
- NPN - Darlington
- 제조업체 장치 패키지
- SOT-93
- 연속
- -
- 전력 - 최대
- 125W
- 포장
- Tube
- 패키지 / 케이스
- TO-218-3
- 작동 온도
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Through Hole
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부
- Contains lead / RoHS non-compliant
- 주파수 - 전환
- -
- 상세 설명
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
- 1000 @ 5A, 4V
- 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
- 1mA
- 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
- 10A
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