2N5013
요청 가격 및 리드 타임
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견적 요청
제품 매개 변수
- 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
- 800V
- 트랜지스터 유형
- NPN
- 제조업체 장치 패키지
- TO-5
- 연속
- -
- 전력 - 최대
- 1W
- 패키지 / 케이스
- TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- 작동 온도
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- 실장 형
- Through Hole
- 주파수 - 전환
- -
- 상세 설명
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
- IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
- 30 @ 20mA, 10V
- 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
- 10nA (ICBO)
- 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
- 200mA
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