STH170N8F7-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A
무연 / RoHS 준수
요청 가격 및 리드 타임
STH170N8F7-2 are available, 우리는 STH170N8F7-2를 제공 할 수 있습니다, 요청 견적 양식을 사용하여 STH170N8F7-2 pirce 및 리드 타임을 요청합니다.Atosn.com는 전문 전자 부품 유통 업체입니다. 우리는 큰 재고를 보유하고 있으며 빠른 배송이 가능합니다. 오늘 저희에게 연락하면 영업 담당자가 부품 번호 STH170N8F7-2에 가격과 선적 세부 정보를 제공합니다. 귀하의 국가와 일치하는 통관 문제를 포함, 우리는 전문 영업 팀이 있습니다및 기술 팀, 우리는 당신과 함께 일하기를 기대합니다.
견적 요청
제품 매개 변수
- 아이디 @ VGS (일) (최대)
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (최대)
- ±20V
- 과학 기술
- MOSFET (Metal Oxide)
- 제조업체 장치 패키지
- H2Pak-2
- 연속
- STripFET™ F7
- 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
- 3.7 mOhm @ 60A, 10V
- 전력 소비 (최대)
- 250W (Tc)
- 포장
- Tape & Reel (TR)
- 패키지 / 케이스
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 다른 이름들
- 497-16002-2
STH170N8F7-2-ND
- 작동 온도
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 제조업체 표준 리드 타임
- 38 Weeks
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부
- Lead free / RoHS Compliant
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
- 8710pF @ 40V
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 120nC @ 10V
- FET 유형
- N-Channel
- FET 특징
- -
- 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
- 10V
- 소스 전압에 드레인 (Vdss)
- 80V
- 상세 설명
- N-Channel 80V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
- 120A (Tc)
유사 제품
- STMicroelectronics STH170N8F7-2
- STH170N8F7-2 데이터 시트
- STH170N8F7-2 데이터 시트
- STH170N8F7-2 PDF 데이터 시트
- STH170N8F7-2 데이터 시트 다운로드
- STH170N8F7-2 이미지
- STH170N8F7-2 부분
- ST STH170N8F7-2
- STMicroelectronics STH170N8F7-2