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STB25NM50N
STMicroelectronics

STB25NM50N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
무연 / RoHS 준수

요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대)
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±25V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
D2PAK
연속
MDmesh™ II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
140 mOhm @ 11A, 10V
전력 소비 (최대)
160W (Tc)
포장
Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들
497-5385-1
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2565pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
84nC @ 10V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
500V
상세 설명
N-Channel 500V 22A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
22A (Tc)

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