1N484B
Microsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
납 함유 / RoHS 비 준수
요청 가격 및 리드 타임
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견적 요청
제품 매개 변수
- 전압 - 피크 역 (최대)
- Standard
- 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
- 200mA
- 전압 - 파괴
- DO-35
- 연속
- -
- RoHS 상태
- Bulk
- 역 회복 시간 (trr)
- Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- 만약, F @ 저항
- -
- 편광
- DO-204AH, DO-35, Axial
- 실장 형
- Through Hole
- 수분 민감도 (MSL)
- 1 (Unlimited)
- 제조업체 부품 번호
- 1N484B
- 확장 설명
- Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
- 다이오드 구성
- 25nA @ 125V
- 기술
- DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
- 전류 - 누설 Vr에서 역방향
- 1V @ 100mA
- 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
- 125V
- VR, F @ 용량
- -65°C ~ 200°C
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