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STW50NB20
STMicroelectronics

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요청 가격 및 리드 타임

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제품 매개 변수

아이디 @ VGS (일) (최대)
5V @ 250µA
Vgs (최대)
±30V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
TO-247-3
연속
PowerMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
55 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대)
280W (Tc)
포장
Tube
패키지 / 케이스
TO-247-3
다른 이름들
497-2670-5
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3400pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
115nC @ 10V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
200V
상세 설명
N-Channel 200V 50A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
50A (Tc)

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